Saçtırma Yöntemi ile Üretilen Işığa Duyarlı Germanyum Katkılı Tungsten Oksit Filmin Elektriksel Karakterizasyonu

Abstract

Magnetron saçtırma yöntemi kullanılarak Al kontaklı p-tipi Si altlık üzerine %3.1 Ge katkılı WOx katmanı büyütülerek p-n tipi Al/Si/WOx(%3.1Ge) eklemi elde edilmiştir. SEM ve EDS analizi sonuçları yüzeyin pürüzsüz ve homojen bir yapıya sahip olduğunu ve sırasıyla %93.7 W, 3.1% Ge ve 3.3% O oranlarından oluştuğunu göstermektedir. Elektriksel özelliklerin incelenebilmesi için üretilen aktif tabaka üzerine Ag nokta kontaklar atılarak sonuçta Al/Si/WOx(%3.1Ge)/Ag yapısı elde edilmiştir. Üretilen heteroeklemin karanlık ve değişik ışık şiddetleri altında ±4V potansiyel aralığında I-V ölçümleri yapılarak diyot parametreleri (seri direnç, engel yüksekliği, diyot idealite faktörü, ters doyum akımı) incelenmiştir. Diyot idealite faktörünün ve seri direncin sırasıyla 3.7-5.68 ve 0-20Ω arasında, engel yüksekliğinin ise 0.12-0.18 eV arasında değerler aldığı ve ters doyma akımının ışık şiddetine bağlı değişim gösterdiği saptanmıştır. Heteroeklemi'nin tipik fotodiyot davranışı gösterdiği ve 60mW/cm2 ışık şiddeti altında maksimum doldurma faktörü değerinin 0.2660 olduğu belirlendi.